碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發射光譜法微量雜質元素測定微電子工業發動機雜質分析高溫技術聚變裝置微量元素。
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如碲化鉛(PbTe)、砷化銦(InAs)、硫化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)等。與金屬材料不同,半導體中雜質含量和外界條件的改變(如溫度變化、受光照射等),都會使半導體的。
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質沒有任何一件事物是沒有雜質的,即便是很多化學原料或者經過多重步驟產生的高科技產品,所以,目前市場上出現的碳化硅產品也有很多雜質。但是。
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本發明涉及一種應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法,其步驟如下:1、制備測試樣片;2、制備標準樣片:①提純碳化硅的制樣;②碳化硅提純,制備出純品碳化硅;③。
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現在的原料主要成分是硅和碳化硅的混合物,里面含有少量鐵雜質,怎樣除去鐵,請各位賜教,謝謝。
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2012年12月28日-碳化硅晶體中的雜質是:鐵、鋁、鈣、鎂、硅等的氧化物和碳化物,以及它們的共熔物。這些雜質在冶煉爐熱動力條件下,溫度在2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳化硅因其相較α-碳化硅擁有更高的比表面積,所以可用于非均相催化劑的負載體。純的碳化硅是無色的,工業用碳化硅由于含有鐵等雜質而呈現棕色黑色晶體。
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碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導熱率:碳化硅制品的導熱率非常非常高,熱膨脹參數小巧,抗熱震性非常非常高,是優質的耐火材料。3、電學屬性恒溫下工業碳化硅是一種半導體,屬雜質導電性。高純度。
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碳化硅的特性和根本機能
碳化硅中雜質的形態-碳化硅中雜質的形態碳化硅的研發成功并很好的利用是市場發展過程中的一大進步點,特別是對于1893年艾奇遜的發明為引子,由此推出的國內由趙廣和。
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2011年6月14日-碳化硅在現代工業生產中的應用范圍比較廣泛,比較為人們所了解的是應用于磨料、磨具領域。但是隨著科學技術的進步,人們對碳化硅的認識也逐漸深入,由此開發。
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碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。碳化硅又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳化硅;物理性質性狀:綠色藍黑色結晶性粉末.含雜質的碳化硅為綠色,固性狀:綠色藍黑色結晶性粉末.含雜質的碳化硅為綠色,固溶有炭和金屬氧化物雜質呈黑色。密。
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論文天下提供的<二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究;論文包括碳化硅二次離子質譜釩摻雜定量分析二次離子質譜分析離子注入樣品等其他相關內容論文。
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2013年4月24日-碳化硅俗稱金剛石,又稱碳硅石,主要用作耐磨材料,耐火材料,核反應堆材料及制造電阻發熱硅碳棒(管),半導體元件,C二級管,晶體管,電器元件,火箭噴管等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產業領域:新能源光伏需求類型:技術服務需求編號:189-07制粉是碳化硅微粉生產中的重要工序,但由于碳化硅的硬度較高,其莫氏硬度為9.5級,在莫氏硬度標準中僅低于金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用ICP-MS法對高純碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行測定,用氫氟酸溶液浸提試樣表面雜質,用釔做內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法,其特征在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本發明公開了一種低成本無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的常壓合成方法,。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
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碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月9日-碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題,1引言借助于微電子技術的長足發展,以硅器件為基礎的電力電子技術因大功率場效應晶體管(功率MOS)和絕緣柵雙極晶體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅。它一部分溶解于SiC晶體中,一部分與其雜質(如鐵、鋁、鈣等)形成合金而粘附于晶體上或嵌在晶體中。2、游離二氧化硅。通常存在于晶體表面。大都是由于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態施主能級分裂對雜質電離的影響,與溫度、摻雜濃度和雜質能級深度的關系進行了系統研究。發現只有在高溫且摻雜濃度低的情況下,能級分裂的影響很小可忽略不計。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析,郝小勇;-陶瓷工程1998年第03期在線閱讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結合SIC材料的研究近年來在國內發展較快,該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分析了Si3N4結合Si3C材料反應燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反應行為。氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析前言:分析了Si3N4結合Si3C材料。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖文]目前,國內使用的切割液和碳化硅微粉在線切割過程中,砂漿中不可避免的會混入硅粉、鐵、高聚物等雜質,部分碳化硅微粉也會因切割作用而出現破損,產生的廢砂漿很難繼續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化硅結合碳化硅材料反應燒結時的雜質相行為分析-分析了Si3N4結合Si3C材料反應燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等雜質相的反應行為。
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碳化硅質泡沫陶瓷過濾片,去孔,濾渣,吸附雜質泡沫陶瓷過濾片簡介泡沫陶瓷過濾器的過濾機理:整流作用:在澆鑄系統中放置泡沫陶瓷過濾片后,金屬液流阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博鑄泰碳素有限公司碳化硅簡介:碳化硅英文名稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂。純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍。